Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
défaut créé par faisceau ionique — jonų pluošto sukeltas defektas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam induced defect vok. Ionenbestrahlungsdefekt, m rus. дефект, вызванный ионным пучком, m pranc. défaut créé par faisceau ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-beam induced defect — jonų pluošto sukeltas defektas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam induced defect vok. Ionenbestrahlungsdefekt, m rus. дефект, вызванный ионным пучком, m pranc. défaut créé par faisceau ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
jonų pluošto sukeltas defektas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam induced defect vok. Ionenbestrahlungsdefekt, m rus. дефект, вызванный ионным пучком, m pranc. défaut créé par faisceau ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
дефект, вызванный ионным пучком — jonų pluošto sukeltas defektas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam induced defect vok. Ionenbestrahlungsdefekt, m rus. дефект, вызванный ионным пучком, m pranc. défaut créé par faisceau ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
